美日韩将召开国安高层会谈，白宫官员在记者会上表示，三方除了将讨论北韩议题，还将触及半导体芯片短缺的问题。 美国国安顾问苏利文(Jake Sullivan) 今日将在马里兰州，和日本国安秘书处秘书长北村滋、南韩国家安保室长徐薰举行三方会谈，这将是美国总统拜登上任以来首度举行的国安高层会谈。美国资深官员表示：美日韩掌握半导体制造技术的关键，因此我们将确保这些敏感供应链的安全。 而根据日经报道之前指出，美国和日本政府将合作确保半导体等技术供应链。双方将成立一个工作小组，以确定如何划分研发和生产等任务。他们希望日本首相菅义伟和美国总统拜登4月16日在华盛顿会晤时就这个项目达成一致见解。预计两位领导人将证实建立分散式供应网络的重要性。他们的目标是建立一种不依赖特定地区的生产体系，比如中国台湾和大陆。日本国家安全局、经济产业省以及美国国家安全委员会和商务部的相关部门将参与这个工作组。双方正考虑任命国务卿级别的人员担任最高职位，首要任务是确定两国目前的供应网络所构成的风险。 日美都在努力应对全球半导体短缺的问题，拜登政府已经决定要求国会提供500亿美元补贴资金，促进本土半导体生产。日本在半导体制造设备和材料领域具有优势。双方将考虑在日本建立联合研究基地等开展合作，开发新技术。另一方面，美国白宫新闻秘书莎琪(Jen Psaki) 周四表示，苏利文将和白宫国家经济委员会主任狄斯(Brain Deese) 召开会议，召集芯片制造商、美国汽车制造商一同讨论供应链议题，预定4 月12 日举行。 根据韩国时报的报道，三星电子管理层将出席在白宫举行的会议，讨论如何解决与业内其他公司全球芯片短缺。这些公司将与美国国家安全顾问Jake Sullivan和国家经济委员会主任Brian Deese会面，以讨论该问题。 目前韩国三星和中国台湾的台积电（TSMC），作为全球最大的合同芯片制造商，正在提高美国的产能。台积电（TSMC）正在亚利桑那州建造一座耗资120亿美元的工厂。与此同时，三星正寻求投资170亿美元来扩大其在得克萨斯州奥斯汀的芯片工厂，以提高产量。英特尔还在三月份宣布了计划投资200亿美元在亚利桑那州建造两个新的制造工厂的计划。 美国芯片制造设施的扩张也是美国扩大本地生产规模的政策推动的一部分。这是为了确保国家安全水平上的供应，因为美国试图通过技术发展来抵消中国日益增长的影响力。 拜登政府正在寻求激励措施，以鼓励芯片制造商在美国建立生产基地。

市场研究公司 IC Insights 日前发布简报，预测 2020 年排名前 15 的半导体供应商排名，其中英特尔、三星、台积电位居前三。 2020 年全球 TOP15 位半导体供应商，总部位于美国的有 8 家厂商，总部位于韩国、中国台湾和欧洲的各 2 家，日本有 1 家。中国大陆没有企业上榜。 值得一提的是，IC Insights 之前发布 2020 年上半年全球十大半导体厂商销售排名，海思位居第 10 位。如今，海思已经跌出 TOP15。 联发科则凭借 5G 芯片大卖，营收同比大增 35%，一路从第 16 位上扬到 11 位，接近占据海思曾经的位置。 尽管新冠疫情爆发，在 2020 年造成了严重的全球衰退，但半导体产业取得逆势增长。IC Insights 预计，2020 年排名前 15 位的半导体公司的销售额将比 2019 年增长 13%，略高于全球半导体行业 6%的总预期增长的两倍。

比利时的独立半导体高科技研究机构——imec每年都会在东京举办“imec Technology Forum(ITF) Japan”，并介绍他们的年度研发成果，今年考虑到新冠肺炎的蔓延，于11月18日在线举行。 此次“imec Technology Forum(ITF) Japan”会议上，imec的CEO兼总裁Luc Van den hove先生做了主题演讲并介绍了imec的整体研究内容，并强调“摩尔定律不会总结”，imec通过与ASML通力合作研发并实现新一代高解析度EUV曝光技术（高NA EUV Lithography），促使摩尔定律继续发挥作用，且即使工艺微缩化达到1纳米后，摩尔定律也会继续存在。 不仅是日本半导体企业，其他很多半导体企业也都认为“摩尔定律已经终结”、“成本高、收益低”，因此相继放弃研发工艺的微缩化，imec始终提倡为摩尔定律续命，因此是当下全球最尖端的微缩化研究机构。 日本的曝光设备厂家也在研发阶段放弃了EUV曝光技术（这对实现超微缩化是必须的），而imec和ASML合作拿公司的命运做赌注，时至今日一直在研发。 Imec公布了1纳米以后的逻辑半元件的技术蓝图 Imec在ITF Japan 2020上公布了3纳米、2纳米、1.5纳米以及1纳米及后续的逻辑元件的技术蓝图。 Imec的逻辑元件的微缩化技术蓝图。（图片出自：ITF Japan 2020上的演讲资料） 第一行的技术节点（Node）名下面记录的PP为Poly-silicon排线的中心跨距（Pitch，nm），MP为金属排线的中心跨距（Pitch，nm）。此处，我们需要注意的是，以往的技术节点指的是最小加工尺寸、栅极（Gate）的长度，如今不再指某个特定场所的物理长度，而是一个符号。 此处的展示的采用了BPR、CFET、2D材料的沟槽（Channel）结构以及材料已经在别处的演讲中提及。 EUV的高NA化对于进一步实现微缩化至关重要 TSMC和三星电子从7纳米开始在一部分工程中导入了NA=0.33的EUV曝光设备，也逐步在5纳米工艺中导入，据说，2纳米以后的超微缩工艺需要更高解析度的曝光设备、更高的NA化（NA=0.55）。 随着逻辑元件工艺微缩化的发展，EUV曝光设备的技术蓝图。（图片出自：ITF Japan 2020上的演讲资料） ASML已经完成了高NA EUV曝光设备的基本设计（即NXE：5000系列），预计在2022年前后实现商业化。这款新型设备由于光学方面实现了大型化，因此尺寸较大，据说可达到以往洁净室（Clean Room）的天花板。 现有的、用于量产的EUV曝光设备（NA=0.33，前图）和新一代的高NA EUV曝光设备（NA=0.55，后图）的尺寸的比较。（图片出自：ITF Japan 2020上的演讲资料） 一直以来，ASML都和imec以合作的形式研发光刻技术，为了推进采用了高NA EUV曝光设备的光刻工艺的研发，imec在公司内新设立了“IMEC-ASML HIGH NA EUV LAB”，以共同研发，且计划和材料厂家共同研发光掩模（Mask）、光刻胶（Resist）等材料。 最后，Van den hove先生表示未来会继续推进微缩化：“实现逻辑元件工艺微缩化的目的在于俗称的PPAC，即Power（功耗）的削减、Performance（电气性能）的提高、Area（空间面积）的缩小、Cost（成本）的削减。当微缩化从3纳米、2纳米、1.5纳米发展到1纳米以后，即发展到Sub-1纳米的时候，需要考虑的因素不仅是以上四项，还有环境（Environment）因素，希望未来继续发展适用于可持续发展社会的微缩化工艺。” 在工艺微缩化过程中，不仅重视以往的PPAC，还增加了E（环境），即PPAC-E。（图片出自：ITF Japan 2020上的演讲资料）

三星目标 2022 年以 3 奈米製程超越台积电，不过，台积电 现阶段仍具备先进制程技术与产能优势，并以先进封装稳固金字塔顶端客户需求，且与客户没有竞争关係也是最大优势之一；即便三星 3 纳米要以 GAA 架构迎战台积电，但必须建立新的 GAA 生态系统，且从良率、技术成熟度等层面来看，台积电仍相对具备优势，三星短期内要与台积电抗衡，恐怕还有段距离。 三星近来动作频频，除日前发表採用自家 5 纳米制程生产的 5G 手机芯片，近期又传出目标 2022 年量产 3 纳米制程，赶上台积电的 3 纳米量产时程，是近年来双方在先进制程争霸竞赛中，量产时间最接近的一次。 台积电与三星为目前全球唯「二」能同时生产 7 纳米、5 纳米制程的厂商，不过，从目前双方最先进的制程来看，台积电 5 纳米制程已于今年第二季量产，通吃苹果、超微等大客户订单，5 纳米强化版也预计明年量产；三星则传出今年底可望量产 5 纳米，除满足自家 5G 手机芯片需求外，客户也包括高通、Vivo。 不过，台积电在客户积极抢单下，5 纳米制程已满载，产能供不应求，明年更将大增 3 倍之多，今年 5 纳米制程营收占比约 8%，明年至少 20%，据研调机构集邦科技最新报告指出，台积电积极扩充 5 纳米制程明年底将囊括近 6 成先进制程市占率，而三星 5 纳米虽有扩产计划，但相较台积电仍有约 2 成的产能落差。 除在先进制程技术与产能领先三星，台积电也搭配先进封装技术，整合 SoIC(系统整合芯片)、InFO(整合型扇出封装技术)、CoWoS(基板上晶圆上晶片封装) 等 3DIC 技术平台为 3D Fabric，以服务 Google、超微等金字塔顶端客户的高阶封装需求。 三星也以 3D IC 封装技术 X-Cube 要与台积电比拚，并宣布已在旗下 7 纳米与 5 纳米制程技术进行验证；但台积电在先进封装技术上已大有斩获，传出正与 Google 共同开发 SoIC 创新封装科技，且先进封装产能将在明年启动建置，并于 2022 年开始量产。 相较三星，台积电身为纯晶圆代工厂，多年来始终强调「不与客户竞争」，成为其最大优势之一，对客户来说，台积电没有竞争利害关係；反观三星并非纯晶圆代工厂，本身也生产手机等终端产品，客户向其投片容易存有疑虑，信任成为客户是否愿意交付订单的影响因素之一。 另一方面，台积电 3 纳米仍将沿用现行的、较成熟的鳍式场效应电晶体 (FinFET) 架构，三星则计划采用全新的闸极全环场效电晶体 (Gate-All-Around, GAA)，能更精准控制通道电流、缩小芯片面积、降低耗电量，要藉此弯道超车台积电。 不过，台积电过去累积下来的 FinFET 架构与设计生态系统，可直接将验证过的 IP，提供给 3 奈米客户使用，让客户能快速完成设计；三星采用GAA 架构下，客户需要调整 IC 设计，三星也必须建立新的 GAA 生态系统。 此外，随著先进制程难度持续推进，台积电在量产时程或产能拉升速度上，均按部就班、甚至优于原定时程，而三星新製程良率始终备受质疑，无论从 3 纳米的成本、技术成熟度等层面来看，台积电仍相对具备优势；这也是即便三星积极抢单，目前还是只能分食台积电「吃」不下、或以低价争取而来的订单的原因。

并非哗众取宠，只是换个视角，来看国内芯片研发人才面临过剩。 什么是人才？是指具有一定的专业知识或专门技能，进行创造性劳动，并对社会做出贡献的人，是人力资源中能力和素质较高的劳动者。 所以，在这里把所有从事芯片研发的人统称为研发人才。 国内芯片行业，面临 芯片研发人才严重短缺和过剩的两难境地 。 什么原因导致芯片产品研发人才过剩？ 同质化芯片产品研发是国内研发人才过剩的根本原因 。 以往的报道都是国内芯片研发人才空缺很大，也导致行业薪水大涨。这些现象的出现有两个原因：一方面是国内芯片产业确实在发展，另一方面是太多同质化的芯片设计公司成立引发有经验研发人才的激烈争夺。 短平快的芯片产品研发思路是国内研发人才过剩的次要原因 。 其实，短平快芯片产品研发思路也是同质化芯片产品研发的产物，芯片产业追求的是数一数二，卡位意识越来越强。除非后来的芯片产品在性能或者成本上能革命，否则很难有机会。市场上只争抢那些能把芯片产品做好的研发人才。 长远来看，国内芯片研发人才是短缺的；但短期来看，国内芯片研发人才是过剩的 。 实际上，市场上的国外芯片型号有数万个，而 国内芯片公司选择的往往是 当下 最热门，量最大的芯片产品 。从商业的角度并没有错，二八原则，20%的产品产生80%的业绩。那么，另外80%的产品，国内芯片公司基本上都不会去做。因此，在国内，一个芯片产品要么没有人做，要么10家甚至几十家芯片公司都去做。 短视，让国内芯片公司失去未来机会和浪费研发人才。 国内芯片研发人才的短缺和过剩就这样产生了。一个芯片公司能把芯片产品做到量产的研发人才很少，能把芯片产品做到有市场竞争力的研发人才就更少了。芯片产品的聚焦竞争，让大多数芯片研发人才只是个陪跑，看着有能力技术突破的研发人才把产品做出来，能做的是学习和鼓掌，抑或是茫然和失落。因为下一代芯片产品对技术要求更高，技术挑战更大，还是那些能力更强的研发人才去做。 短期内，国内芯片研发人才过剩的现象不会根本改变，因为国内芯片公司很难去追求差异化。原因可以从下面两个疑问中找到答案。 一、什么是国内芯片公司的差异化？ 根据目前芯片行业的实际情况，国内芯片设计公司的差异化可以从两个思路来看： 1、 芯片产品差异化 芯片产品的差异化可以围绕性能差异化和市场差异化来进行。 （1）性能差异化 不同客户对产品性能指标的需求是有差异的，不同客户在不同时期对产品性能指标要求也不一样。而国内芯片产品，是跟随国外产品规格书上的性能指标来做的；这样做出来的产品既没有差异化，又有可能面临产品研发出来就已被市场淘汰。 （2）市场差异化 市场可以分为主流市场和非主流市场。市场细分，是确定不同的目标市场，非主流市场也可以成为目标市场。不同细分市场，对芯片产品差异化要求不同。 国内芯片公司，只愿意聚焦主流市场，忽略非主流市场，市场单一化和产品同质化导致市场竞争白热化。 2、 芯片研发人才差异化 从行业了解到，国内芯片研发人才期望产品经理能够根据研发人才的能力来规划产品，来做差异化的产品。研发人才是用技术说话的，技术是用产品说话的，做不出上市竞争的产品，研发人才的能力得不到展现和正确评估，研发人才也会渐渐失去自信。自信，是追求挑战的基础。 （1）素质与经验的差异 素质的差异主要表现在专业教育背景、思维分析能力和自我学习能力。这些基础决定研发人才以后在芯片研发能力上的差异化。 做芯片是讲求经验的行业，做数字芯片需要2~3年的从业经验才能真正开始研发产品；做模拟和射频芯片需要3~5年的工作经验才能独立完成产品设计。 素质和经验的综合就是一个芯片研发人才的能力评估。 （2）性格与环境的差异 性格和研发环境的差异会影响到芯片研发人才的能力。 研发能力强的人，都具备永不放弃的精神。一旦着手研发，就要相信“一定能行”，中途不管遇到什么困难，出现何种巨大障碍，都绝不放弃，勇往直前。这种性格和态度会带来战胜一切困难的力量，最终成就产品和自己。 现实中，一些研发人才喜欢躲避困难和找理由，遇到问题就后退。有些研发人才本身具有一定能力，因为性格的原因，只能做一些常规的产品研发和辅助性的研发工作。 研发环境的差异也将导致芯片研发人才能力的差异化。环境造就人才，环境也淹没人才。一些芯片研发人才在大公司平台往往出不来，被打压和排挤，甚至背黑锅。有了研发成绩，功劳是主管的；有了问题，是下面研发不行。积极性和能力被打压，研发人才的能力无法发挥和提高。当然，芯片研发人才在小公司环境里，能力上也会受到一定限制，研发资源和条件有限，导致研发进度变慢。 二、国内芯片公司为什么不追求差异化？ 差异化战略首先是产品定位的差异化，包括产品市场定位和产品研发定位。国内芯片公司不追求差异化，是因为公司能力和条件所限。 1 、90%以上的国内芯片公司处在初创阶段 2019年中国半导体设计企业有1780家，其中88.54%的企业不足100人。今年上半年中国就新增了2.6万家集成电路相关企业，绝大部分只是完成工商注册，少数属于真正进入芯片行业创业，招兵买马。 目前共有28家半导体概念公司完成科创板上市，32家公司处在科创板IPO审核阶段，还有36家半导体公司在进行科创板IPO辅导。98%以上的国内芯片设计公司处在融资烧钱阶段。 芯片是烧钱的行业，对于处在初创阶段的芯片公司首要任务是融资，其次才是找人。投资机构主要看什么？看赛道和团队，以及产品规划。 一般来说，赛道越大越好融资，赛道越热越好融资，产品市场需求量越大越好融资。 因此，芯片初创公司不敢往细分赛道上走，也不敢追求产品差异化，不一定输在市场上，但在初期一定会输在融资上。所以，很多芯片公司都挤在一个产品或者一个产品方向上，致使芯片研发人才严重短缺和过剩现象同时凸显。 2 、能主导公司命运的芯片产品经理稀缺 芯片设计公司的产品经理要懂芯片技术，要懂工艺，要懂芯片应用，要懂市场和销售，要懂生产运作，要懂财务和会计，还要懂芯片品质管理。只有具备这些能力，芯片产品经理才能主导公司的命运；具备这些能力的芯片产品经理，也非常稀缺。 根据公司的当前实际情况以及未来布局，来规划产品和定位目标市场，芯片产品经理一定程度上主导和决定公司命运。产品差异化，寻求的是一条越走越宽的路；产品差异化，目标是农村包围城市，最终实现产品市场最大化。 退一步讲，产品经理的目标是追求细分市场第一，但要做到这一点，芯片产品经理既要懂市场又要懂技术，才能根据研发人才的能力差异化来规划和定义产品，再贴合到对应的细分市场。即使这样的芯片产品经理，在很多国内芯片公司都是空缺的，只是一味地跟着同行做产品。 在很多公司的实际工作中，芯片产品经理和研发人才是对立的。和研发人才对立的产品经理不是好的产品经理，产品经理是服务于研发人才，成就研发人才。 综上所述， 不追求差异化和缺乏真正的产品经理，是国内芯片研发人才面临过剩的根本原因。